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本发明提供了一种超薄Ta-W合金箔材的制备方法；属于Ta-W合金加工技术领域。本发明包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤；所制备的箔材厚度可达到3~5μm，本发明工艺简单，制备的箔材精...
该专利属于中南大学所有，仅供学习研究参考，未经过中南大学授权不得商用。

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