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即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、Z...该专利属于株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构授权不得商用。