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一种形成存储器件的方法。所述方法提供具有表面区域的半导体基板。形成第一介电层覆盖所述半导体基板的表面区域。形成底层布线结构覆盖所述第一介电层，并且形成第二介电材料覆盖所述顶层布线结构。形成底层金属阻挡材料，以提供与所述底层布线结构的金属与金...
该专利属于科洛斯巴股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科洛斯巴股份有限公司授权不得商用。

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