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结构和制造其的方法涉及深耗尽沟道（DDC）设计，允许基于CMOS的器件具有比传统体CMOS减小的σVT，并可以允许精确得多地设置沟道区中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT。表示独特的凹槽的创新掺杂剂剖面实现了在精确范围内的VT设定的调整。通过...
该专利属于苏沃塔公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏沃塔公司授权不得商用。

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