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利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程制造技术
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下载利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程的技术资料
文档序号:8659784
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使用下述编程技术来收窄非易失性存储器装置(196)中的阈值电压分布(A、B、C),并且/或者减少编程时间,在该编程技术中:以与编程电压的逐步增加步伐一致的方式,逐步增加具有目标数据状态(402、404、406)的存储元件的位线电压。对于存储...
该专利属于桑迪士克技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克技术有限公司授权不得商用。
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