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本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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