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一种半导体器件，其包括：第一导电型基极，其形成于基板的表面上；第二导电型发射极，其形成于基极的表面上；第二导电型掺杂区，其在从发射极接收第一型载流子的同时将第一型载流子注入基极中，并且在基极的表面上与发射极隔开地布置；以及第二导电型集电极，...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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