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本发明公开了一种沟槽功率器件结构及其制造方法，沟槽功率器件结构包括有源区和终端两部分，有源区和终端都位于一个基片上，有源区包括体区、源区、接触孔、有源区沟槽、第一隔离层、源极金属层，终端包括终端沟槽、第二隔离层、阻挡层、栅极金属层，接触孔位...
该专利属于上海宝芯源功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宝芯源功率半导体有限公司授权不得商用。

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