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本发明涉及半导体装置。实现确保期望的击穿电压，且流过较大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由PN结二极管（35）与寄生PNP双极晶体管（38）构成ESD保护元件，所述PN结二极管由适当的杂质浓度的N+型嵌入层（2）与P+型嵌入...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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