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本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其实现步骤是：先对清洗SiC样片；再在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在S...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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