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本发明涉及一种非外延生长半导体的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法为低温液相法：在衬底上滴加银溶胶，银溶胶中溶剂挥发后得银薄膜；衬底银薄膜面朝上加入乙醇和1-硫代癸烷丙酮溶液，静置，加入硫族元素前驱体溶液，混合后30～80℃反应4～12h...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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