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一种低电压工作的SRAM的存储单元电路，采用单端读写的双端口结构，由2个PMOS管MP1、MP2和6个NMOS管MN1～MN6组成，设有两个控端口cont和Colum。本发明的存储单元电路在保证读写正确的情况下，能够在近亚阈值的低电压下工作...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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