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本发明公开了一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，是在孔洞均匀一致的阳极氧化铝模板中，利用直流电沉积技术，制备得到沿着[100]方向生长的立方晶体结构的AgSbTe2单晶纳米线及其阵列，晶胞参数为a=0.3039nm。本发明方法是在室...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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