一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，是在孔洞均匀一致的阳极氧化铝模板中，利用直流电沉积技术，制备得到沿着[100]方向生长的立方晶体结构的AgSbTe2单晶纳米线及其阵列，晶胞参数为a=0.3039nm。本发明专利技术方法是在室温、敞开体系的温和条件下进行的，设备简单、易于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种三元合金化合物半导体纳米材料的制备方法，具体地说是一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，具有单相结构。
技术介绍
在科技高速发展的今天，人们必然对材料提出新的需求，元器件的小型化、高密度集成、高密度存储等促使材料的研究向更小尺寸方向发展。另一方面，随着纳米科技的发展，人们需要对一些介观尺度的物理现象，如纳米尺度的结构、光学、磁学以及与低维相关的量子尺寸效应等现象进行深入的研究。自从1991年碳纳米管被发现以来，对其他一维纳米材料的制备和表征吸引了许多科技领域的科学家们的极大兴趣。纳米线、纳米棒、纳米带和纳米丝是一维纳米结构家族中的重要成员，它们为研究电传输、光学和其他性质同维度和尺寸限制的关系提供了模型。为了获得纳米线，许多物理的和化学的制备方法已经被开发，例如物理方法有热蒸发、纳米刻蚀和其他纳米图案化技术，化学方法包括化学气相沉积、溶剂热、水热和碳热还原等方法。在这些方法中，用阳极氧化铝膜(AAM)作模板的模板基合成法，是制作纳米线的有效和廉价方法。氧化铝模板具有高度有序的准一维纳米孔结构，为有序纳米线阵列的限域生长提供了一种理想前提条件，从而在结构上实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，包括多孔氧化铝模板的制备、电解液的配制、电化学沉积以及后处理各单元过程，其特征在于：所述多孔氧化铝模板的制备是采用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，所述多孔氧化铝模板中均布孔径50nm的纳米孔，在所述多孔氧化铝模板的反面通过真空蒸镀沉积一层200nm厚的金膜，得到镀金氧化铝模板；所述电解液的配制是配制浓度为0.23mol.L?1的酒石酸水溶液即为缓冲溶液，向所述缓冲溶液中加入TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3，使得缓冲溶液中TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3的浓度分别为1mmol.L?1、0.5mmol.L...

【技术特征摘要】
1.一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，包括多孔氧化铝模板的制备、电解液的配制、电化学沉积以及后处理各单元过程，其特征在于: 所述多孔氧化铝模板的制备是采用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，所述多孔氧化铝模板中均布孔径50nm的纳米孔，在所述多孔氧化铝模板的反面通过真空蒸镀沉积一层200nm厚的金膜，得到镀金氧化铝模板；所述电解液的配制是配制浓度为0.23mol.L—1的酒石酸水溶液即为缓冲溶液，向所述缓冲溶液中加入 Te02、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨友文，李天应，朱文斌，马东明，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：