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本发明公开的单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法,以使用微机械力将石墨用胶带撕裂出的单晶石墨烯黏贴到Si或Si/SiO2复合层再转移至金属基底上,作为单晶石墨烯籽晶层;通过化学气相沉积法,先通入还原性气体,去除基底上金属氧化物;再通入碳源气体和...该专利属于杭州格蓝丰纳米科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州格蓝丰纳米科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开的单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法,以使用微机械力将石墨用胶带撕裂出的单晶石墨烯黏贴到Si或Si/SiO2复合层再转移至金属基底上,作为单晶石墨烯籽晶层;通过化学气相沉积法,先通入还原性气体,去除基底上金属氧化物;再通入碳源气体和...