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本发明提供了一种HIMOS?FLASH存储单元结构及其制造方法，其中，所述硅衬底中形成有沟道，所述栅氧层形成于所述沟道中，所述多晶硅浮栅形成于所述栅氧层上，也就是说，所述多晶硅浮栅埋于所述硅衬底中，由此，便可进一步缩小存储单元结构的面积。此...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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