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本发明提供了一种AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法。采用金属有机物化学气相沉积在GaP衬底上外延生长AlGaInP四元系半导体发光二极管，采用特殊设计的GaxIn1-xP缓冲层来减小晶格失配对外延层的影响，优化设计生长各层的工...
该专利属于大连美明外延片科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连美明外延片科技有限公司授权不得商用。

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