温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种纳米线晶体管及其制备方法，该纳米线晶体管包括纳米线结构，设置于所述纳米线结构表面的栅介质层，设置于所述栅介质层表面的栅极，以及分别设置于所述纳米线结构两端的源极和漏极；其中，所述纳米线结构包括锗硅纳米线和覆盖在所述锗硅纳米线...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。