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本申请涉及具有DMOS集成的半导体器件，该半导体器件包括具有用于将VDMOS器件连接到LDMOS器件的导电材料。所述半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底，其中，第二区域被布置在第一区域上。沟槽从第二区域的顶表面延伸到第一区域。半导体衬...
该专利属于马克西姆综合产品公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克西姆综合产品公司授权不得商用。

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