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本发明公开了一种锗硅多晶硅栅BiCMOS的半导体器件，该器件内部包含HBT及CMOS器件，其CMOS器件中PMOS及NMOS的栅极结构由栅氧化层、多晶硅及锗硅构成。本发明还公开了所述锗硅多晶硅栅BiCMOS器件的制造方法，制造HBT的基区时...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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