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本发明为提高窄通道设备的性能并减少其变化。本发明的实施方式提供了形成诸如窄通道晶体管的晶体管的方法。该方法包括在衬底中创建晶体管区域；由在衬底中形成的一个或多个浅沟槽隔离（STI）区域将该晶体管区域与所述衬底的剩余部分隔开，以便包括通道区域...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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