温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供有第一端、第二端和第三端的功率半导体器件，功率半导体器件由元胞阵列排布形成；所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，形成具有抗静电放电能力的功率半导体...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。