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提供一种用于制造半导体晶体管结构的方法。该方法包括提供具有水平主表面(15)的半导体本体（40）。形成从水平主表面（15）延伸到半导体本体(40)中的垂直沟槽（19a）。在垂直沟槽（19a）的下面的片段中构造场氧化物（7）和场板(13a)。...
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