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一种半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:8594907
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本发明提供一种半导体结构及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供衬底,在衬底上形成牺牲栅,位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区;形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层;去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔;在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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