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公开了一种制造双极晶体管的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底包括通过有源区(11)与第二隔离区分离的第一隔离区(12)，所述有源区包括集电极杂质；在所述衬底上方形成叠层，所述叠层包括基极层(14，14’)、所述基极层上方的硅覆盖层(15...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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