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本发明公开了一种双层ITO的布线结构，每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极，所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内，所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型，包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴，其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的...
该专利属于苏州瀚瑞微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州瀚瑞微电子有限公司授权不得商用。

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