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本发明公开了一种锥形多层脊波导结构及其制作方法。所述锥形多层脊波导结构的层数为三层以上，包括耦合端和压缩端，其中，位于非底层和非顶层的台阶的高度从耦合端到压缩端逐渐减小。本发明公开的制作方法，工艺实施顺序是先刻蚀，接着进行外延生长单晶硅，然...
该专利属于上海圭光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海圭光科技有限公司授权不得商用。

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