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本申请公开了用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯的各种实施方案。在一个例示性实施方案中，这样的晶体管包括具有第一导电类型的深井注入物，此深井注入物设置于具有与第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上。此晶体管包括第一导电类型的源侧...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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