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本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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