温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种RF?LDMOS器件，其结构是，在P外延的左部形成有一P阱，右部形成有一漏端N型轻掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区；所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。