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一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法,该器件中低端和高端芯片分别粘贴在导电的引线框架的两边,使低端芯片的底部漏极电性连接载片基座的顶面,高端芯片的顶部源极通过对应的焊球,电性连接在载片基座的底面。本发明中由于低端芯片、引线框架...该专利属于万国半导体(开曼)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体(开曼)股份有限公司授权不得商用。
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一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法,该器件中低端和高端芯片分别粘贴在导电的引线框架的两边,使低端芯片的底部漏极电性连接载片基座的顶面,高端芯片的顶部源极通过对应的焊球,电性连接在载片基座的底面。本发明中由于低端芯片、引线框架...