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本发明提供了一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置以及制造电熔丝结构的方法。该半导体装置包括：具有浅沟槽隔离（STI）结构的基底基板；第一金属层，形成在所述STI结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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