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本发明公开了一种金属铝基氮化铝封装基板及其制备方法，属于微电子材料领域。该封装基板包括一金属铝基底，在金属铝基底表面形成的多孔型阳极氧化铝膜，和在阳极氧化铝膜表面形成的氮化铝薄膜，其中阳极氧化铝膜的孔隙率由金属铝基底到氮化铝薄膜方向逐渐降低...
该专利属于武汉铂岩科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉铂岩科技有限公司授权不得商用。

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