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一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成介质层，在介质层中形成金属互连线；在所述金属互连线上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层的表面进行硅化处理，形成第一富硅阻挡层；在所述第一富硅阻挡层上形成第二阻挡层，对所述第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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