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本发明涉及形成用于半导体器件的连接突块的方法，在所述半导体器件中形成重布线图案。所述方法包括：制备半导体衬底，在半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在焊盘和钝化膜上形成种子层；形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括暴露出焊盘...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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