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一种半导体器件及其制造方法，采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜，该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时，能很好地吸收紫外光，从而获得良好的去氢效果，并在去氢后，氮化硅膜具有很高的张应力；由于氮化硅膜的紫外光吸收...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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