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本发明公开了一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，包括以下步骤：步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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