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本发明提供一种具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：在所述基底上形成硅薄膜的步骤，其通过重复将硅前体注入到装载了基底的腔室内部而在所述基底上沉积硅的步骤、和从所述腔室内部除去未反应的硅前体...
该专利属于株式会社EUGENE科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社EUGENE科技授权不得商用。

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