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本发明涉及太阳能电池材料和电池制造技术，特指针对利用金属纳米颗粒辅助无电极化学腐蚀方法制备的单晶硅纳米线阵列，本发明先利用第一次干氧氧化工艺，由于硅的干氧氧化速率很低，通过控制氧化时间，可以在硅纳米线上形成一层厚度可控的氧化层；或利用双氧水...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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