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SRAM单元及其制作方法技术
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文档序号:8534870
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本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括:半导体层;以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET,其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片,所述第一鳍片具有第一顶面和...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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