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本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成接触...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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