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本发明公开了一种由闪存-SRAM流水线组成的存储电路系统。该系统以流水线工作方式，先向闪存写入数据，待其进入编程状态后，再往SRAM内写入数据，直至闪存编程结束。不断重复此过程，直到SRAM内存满数据。最后将SRAM中的数据转移至闪存中。借...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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