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一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV?LED设计和性能的若干改...
该专利属于波士顿大学理事会所有，仅供学习研究参考，未经过波士顿大学理事会授权不得商用。

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