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一种非易失性存储器（NVM）单元结构，其包括：NMOS控制晶体管，其具有共同连接以接收控制电压的源极电极、漏极电极和管体区电极以及连接到数据存储节点的栅极电极；PMOS擦除晶体管，其具有共同连接以接收擦除电压的源极电极、漏极电极和管体区电极...
该专利属于美国国家半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国国家半导体公司授权不得商用。

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