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用于场复位自旋力矩MRAM的结构和方法技术
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文档序号:8494065
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一种对自旋力矩磁致电阻存储器阵列进行编程的装置和方法,该磁致电阻存储器阵列包括位于多个磁致电阻位中每一个磁致电阻位附近且被配置为通过在电流经其流过时产生磁场来将该多个磁致电阻存储元件设置为已知状态的金属复位线。然后向这些磁致电阻位中所选择的...
该专利属于艾沃思宾技术公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾沃思宾技术公司授权不得商用。
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