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本发明涉及一种半导体存储器装置，其包括存储器单元阵列和至少一个读出放大器，其中存储器单元包括至少一条字线、至少一条单元位线和至少一个存储器单元，所述至少一个存储器单元设置于所述至少一条字线和所述至少一条单元位线彼此交叉的区域上，且所述至少一...
该专利属于尹在万所有，仅供学习研究参考，未经过尹在万授权不得商用。

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