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本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件，其能够执行低压和高速切换行为，同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极；设置在第一电极上的电阻变化部；以及设置在电阻变化部上的第...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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