温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种产生量子化反常霍尔效应的方法，包括：在绝缘基底上制备厚度为3QL至5QL的拓扑绝缘体量子阱薄膜；在制备该拓扑绝缘体量子阱薄膜的同时对该拓扑绝缘体量子阱薄膜掺杂第一元素与第二元素，形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该第一元素与该...
该专利属于清华大学;中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;中国科学院物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。