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裂缝停止结构及其形成方法技术
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文档序号:8490769
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本发明公开了一种半导体结构,其含有一底材、一集成电路、及一切割道。所述底材包含一切割道区与一电路区。集成电路设于电路区内,而切割道设于切割道区内,并含有一设在底材中且邻近电路区的裂缝停止沟槽。裂缝停止沟槽与电路区的一侧平行并填有栅格形式的复...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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