下载一种金属互连层制作方法的技术资料

文档序号:8490751

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本发明提供了一种金属互连层制作方法,该方法在形成沟槽的第二low-k?ILD下方加入高介电系数ILD,利用高介电系数ILD的晶格结构较为紧密,密度和硬度都大于low-k?ILD的性质,在避免增加第一low-k?ILD高度并造成EM?fail...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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